开关磁阻电机结构性转矩脉动抑制方法

开关磁阻电机具有结构简单、成本低和调速范围广等优势,但其双凸极结构和控制器的开关特性,导致存在转矩脉动现象,使得抑制转矩脉动成为焦点问题。首先从开关磁阻电机的结构和运行机理出发,针对线性解析方法难以分析转矩特征的问题,建立电机有限元模型求解出转矩特征并进行样机验证试验。分析样机结构参数对转矩脉动的影响,针对结构参数耦合问题,选择NSGA-Ⅱ算法在参数优化平台上对样机结构参数进行多目标寻优,在保证优化后样机的转矩脉动系数和平均转矩均优于初始电机的条件下,最终获得样机最优化结果。结果表明,不同结构参数对电机转矩的影响有较大的差异,对结构参数的优化能有效地抑制转矩脉动,该参数优化方法可以为开关磁阻电机结构性转矩脉动抑制提供参考。     

从7-ADCA生产过程中环境友好的回收苯乙酸

采用新工艺回收7-氨基-3-脱乙酰氧基头孢烷酸(7-ADCA)生产中产生的苯乙酸,并对苯乙酸回收过程中产生的废硫酸进行处理。采用硫酸(9 8%)洗涤二氯甲烷,硫酸与二氯甲烷适宜的体积比为1∶50,洗涤好的二氯甲烷中含苯乙酸4%。蒸馏出二氯甲烷,趁热向熔融苯乙酸中加入母液,降温析出苯乙酸。晾干的苯乙酸为白色鳞片状,含量大于99%,苯乙酸母液补充部分清水套用到下一批析出苯乙酸。废浓硫酸用芬顿试剂氧化,控制80℃氧化4h,双氧水和七水硫酸亚铁重量比为6∶1,废浓硫酸COD下降85%以上。氧化结束后向废硫酸中加入铁粉和双氧水,制得聚合硫酸铁。     

CPU芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。     

SMT测试技术

主要介绍了当前用于检测组装后PCB的缺陷和故障的一些常见测试技术 ,并对未来的发展趋势进行了初步探讨     

基于一类T-模的模糊Hopfield网络的稳定性分析

本文建立了基于一类T-模的一种动态模糊神经网络-(∨,T)Hopfield网.文章首先证明了系统本身的稳定性及系统平衡态的Lyapunov稳定性,然后建立了吸引子的一个非平凡吸引域,使系统具有良好的容错性.最后,通过例子验证了得到的结论.     

钼顶头破坏行为及强韧化分析

通过对钼顶头破坏行为的分析，说明了钼顶头破坏的主要原因。并进一步通过对钼顶头强韧化的分析，阐述了钼顶头延长使用寿命的措施，并制定了钼顶头生产工艺。     

EWB应用于模拟电路分析的研究

介绍了将EWB用于“模拟电子技术”的课堂教学时，虚拟实验测量结果与理论计算值不一致时，如何去分析并解决问题。     

环氧树脂绝缘站用变压器局部异常发热检测分析与消除

由于站用变压器长期运行在高电压、高场强和负载电流条件下,所处环境工况复杂,其绝缘性能失效事件时有发生.通过红外热像仪测温、长焦相机拍照的带电检测方法,结合离线电气试验,分析了一起35 kV干式绝缘站用变压器因局部机械受损、运行环境湿度大,从而导致其绕组环氧树脂绝缘性能下降并发生沿面放电,进而引起局部异常发热的案例,并介绍了修复方案和预防措施,为保障站用变压器的安全稳定运行和维修试验提供了参考.     

基于温度流体场耦合的油浸式变压器热点温度计算*

提出了一种10 kV油浸式变压器热点温度的三维温度流体场耦合分析方法,仿真中考虑变压器内部金属结构件对绕组热点温度的影响,利用变压器空载试验和负载试验确定变压器内部总损耗,基于有限体积法,对变压器温度流体场进行计算,进而获取变压器绕组热点温度.绕组热点温度计算结果与预埋光纤测温系统的变压器温升试验结果相吻合,最大误差不超过3℃,验证了该方法的有效性和准确性.     

周向外压作用下多孔圆筒屈曲分析

分别以圆筒和多孔圆筒为研究对象,采用了特种值和双非线性两种方法对周向外压作用下圆筒和多孔圆筒进行屈曲分析,将所求得的圆筒临界载荷与解析法结果进行比较,发现双非线性法求得的临界载荷与解析法吻合程度高.并参照ASME-VIII-2中许用外压的相关规定,以双非线性法求得的临界载荷确定了多孔圆筒的许用外压.